FQI2P25TU
Fairchild Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | FQI2P25TU |
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Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 250V 2.3A I2PAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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370+ | $0.81 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | I2PAK (TO-262) |
Serie | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 1.15A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.13W (Ta), 52W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5 nC @ 10 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.3A (Tc) |
FQI2P25TU Einzelheiten PDF [English] | FQI2P25TU PDF - EN.pdf |
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
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Zielpreis (USD)
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